DDR4-2666 Unbuffered SO-DIMM

TS2666HSE-16G

  • 16GB
  • Notebook

创见DDR4 SO-DIMM内存模块采用顶级颗粒与组件所制而成,通过缜密的实验室测试,展现高效能与高稳定性。为因应小型机壳和轻薄笔记本电脑有限的散热空间,创见DDR4 SO-DIMM内存使用1.2V超低额定电压,不仅能减少热能产生,还能降低整体能源消耗,达到节能减碳的目标。

规格

内存模块

RAM种类
DDR4
DIMM种类
Unbuffered SO-DIMM
速度
2666
时序
CL19
容量
16GB
Rank
1Rx8
DRAM
2Gx8
电压
1.2V
Pin
260 pin
电路板高度
1.18 吋

操作环境

工作温度
0°C (32°F) ~ 95°C (203°F)

保修

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  • 终身有限保修
保修政策
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